Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (60)
DDTA143TE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523
DDTA143XCA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTA144ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTB122LU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
DDTB123YU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
DDTB142JU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
DDTB142TC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTB143EC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTC113TUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
DDTC113ZCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTC113ZUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
DDTC114ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTC114ELP-7 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC114EUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
DDTC114WCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTC114YCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
DDTC114YE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523
DDTC114YUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
DDTC122LE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523
DDTC123EUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
На странице: