Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

Акция

MMUN2233LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

18 944 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,27₽

MMUN2232LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Наличие:

16 181 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

132 449 шт

Цена от:

от 1,98₽

MUN5111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

14 935 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,76₽

Акция

MMUN2215LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

400mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Наличие:

13 943 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,69₽

MMUN2111LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

12 758 шт

Внешние склады:

50 270 шт

Аналоги:

10 359 шт

Цена от:

от 1,46₽

Акция

MUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

12 385 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,94₽

Акция

MUN5235T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

9 591 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,87₽

Акция

MMUN2113LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

400mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

9 589 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 1,03₽

MUN2111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-59

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

230mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

9 066 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,73₽

Акция

MUN5133T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

8 383 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,54₽

MMUN2212LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Наличие:

7 690 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,63₽

MMUN2214LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

7 503 шт

Внешние склады:

374 шт

Аналоги:

28 280 шт

Цена от:

от 2,00₽

Акция

DTC144EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

6 588 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,18₽

Акция

MUN5233T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

6 259 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,36₽

MMUN2132LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Наличие:

6 043 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,20₽

Акция

SMUN5213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

6 000 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,66₽

Акция

MMUN2213LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

5 802 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 1,07₽

Акция

MUN5211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

4 792 шт

Внешние склады:

3 624 шт

Цена от:

от 3,31₽

Акция

MUN5135T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

4 479 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,57₽

MMUN2114LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

3 693 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 3,14₽