Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

Акция

DTA114EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

DTA114EM3T5G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

DTA114YET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTA114YM3T5G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTA115EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 100k Сопротивление резистора Э-База R2: 100k

Сообщить о поступлении

DTA124EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

DTA143EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

DTA143TET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k

Сообщить о поступлении

DTA143ZET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTA144EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTC114EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

DTC114EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

DTC114TET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k

Сообщить о поступлении

DTC114TM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723

Сообщить о поступлении

DTC114YET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTC114YM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTC115EET1G TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

DTC115EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 100 кОм+100 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 100k Сопротивление резистора Э-База R2: 100k

Сообщить о поступлении

DTC123JET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

DTC123JM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 260mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении