Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

259
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (259)
DDTC115EUA-7-F DDTC115EUA-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC115GCA-7-F DDTC115GCA-7-F Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC115GE-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC115TCA-7-F DDTC115TCA-7-F Транзистор биполярный - с предварительно заданным током смещения 200мВт 100K
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC115TE-7-F DDTC115TE-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DDTC122LE-7-F DDTC122LE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
150mW
Сопротивление резистора базы R1:
220
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTC123ECA-7-F DDTC123ECA-7-F RF TRANSISTOR, 50V, 0.1A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC123EE-7-F DDTC123EE-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DDTC123EUA-7-F DDTC123EUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2k
DDTC123JCA-7-F DDTC123JCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
DDTC123JE-7-F DDTC123JE-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC123JLP-7 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC123JUA-7-F DDTC123JUA-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC123TCA-7-F DDTC123TCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
DDTC123TE-7-F DDTC123TE-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DDTC123TUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC123YCA-7-F DDTC123YCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
DDTC123YUA-7-F DDTC123YUA-7-F RF TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, SOT-323;
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC124ECA-7-F DDTC124ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
DDTC124EE-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 30mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: