Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated оптом и в розницу

DDTA143TE-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сообщить о поступлении

DDTA143XCA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTA144ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

DDTB122LU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

220

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTB123YU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTB142JU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

470

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTB142TC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

470

Сообщить о поступлении

DDTB143EC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Сообщить о поступлении

DDTC113TUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

1k

Сообщить о поступлении

DDTC113ZCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

1k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC113ZUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

1k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC114ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC114ELP-7 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

3-DFN1006 (1.0x0.6)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC114EUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC114WCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+4.7 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Сообщить о поступлении

DDTC114YCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

DDTC114YE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

DDTC114YUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

DDTC122LE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

220

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

DDTC123EUA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

2.2k

Сообщить о поступлении