Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

259
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (259)
ACX114EUQ-7R ACX114EUQ-7R Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 270mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ADA114YUQ-7 ADA114YUQ-7
Производитель:
Diodes Incorporated
ADC143ZUQ-7 ADC143ZUQ-7 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 270mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
ADTA114ECAQ-13
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA114ECAQ-7 ADTA114ECAQ-7 Транзистор биполярный - с предварительно заданным током смещения PNP Pre-biased SMAll Signal Transistor
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA114EUAQ-7 ADTA114EUAQ-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA114YUAQ-7
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA143ECAQ-7 Prebias Transistor SOT23 T&R 3K
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA143XUAQ-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA143ZUAQ-13
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA143ZUAQ-7 ADTA143ZUAQ-7 RF TRANSISTOR, 50V, 0.1A, SOT-323;
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA144ECAQ-7 ADTA144ECAQ-7 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
ADTA144EUAQ-7 ADTA144EUAQ-7 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.31 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
ADTA144VCAQ-7
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTA144WCAQ-7
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTC114ECAQ-13 Транзистор биполярный - С предварительно заданным током смещения Prebias Transistor SOT23 T&R 10K
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTC114ECAQ-7 ADTC114ECAQ-7 Prebias Transistor SOT23 T&R 3K
Производитель:
Diodes Incorporated
ADTC114EUAQ-13 ADTC114EUAQ-13 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
ADTC114EUAQ-7 ADTC114EUAQ-7 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.33 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
330mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
ADTC114YUAQ-13
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: