Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

259
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (259)
DDTA144TCA-7-F DDTA144TCA-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTA144VCA-7-F DDTA144VCA-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DDTA144VE-7-F TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTA144VUA-7-F TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTA144WCA-7-F DDTA144WCA-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTA144WE-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTA144WUA-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTB113ZC-7-F DDTB113ZC-7-F RF TRANSISTOR, 50V, 0.5A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTB114EC-7-F DDTB114EC-7-F RF TRANSISTOR, 50V, 0.5A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTB122LU-7-F DDTB122LU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.22 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
220
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTB122TC-7-F Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 40V 500mA 200mW Surface Mount SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTB123YC-7-F DDTB123YC-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DDTB123YU-7-F DDTB123YU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTB142JU-7-F DDTB142JU-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+10 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
470
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DDTB142TC-7-F DDTB142TC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
470
DDTB143EC-7-F DDTB143EC-7-F Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
DDTB143EU-7-F DDTB143EU-7-F Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
DDTC113TCA-7-F Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC113TE-7-F DDTC113TE-7-F Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 1K
Производитель:
Diodes Incorporated
DDTC113TUA-7-F DDTC113TUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 1 кОм+
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
На странице: