Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA

₁₃₆

Производитель: NEXPERIA

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные цифровые транзисторы (136)

NHDTC114YTR RF TRANSISTOR, AEC-Q101, SINGLE NPN, 80V;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

NHDTC143ZTR

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

NHUMD12F RF TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN/PNP COMP;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

NHUMD2F RF TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN/PNP COMP;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

NHUMD3X RF TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN/PNP COMP;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

NHUMD9X RF TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN/PNP COMP;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

NHUMH10X RF TRANSISTOR, AEC-Q101, DUAL NPN, 80V;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

PBRN113ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

Сопротивление резистора Э-База R2:

Сообщить о поступлении

PBRN113ZT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PBRN123ET,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

2.2k

Сообщить о поступлении

PBRN123YT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PBRP113ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

Сопротивление резистора Э-База R2:

Сообщить о поступлении

PBRP113ZT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

600mW

Сопротивление резистора базы R1:

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PBRP123ET,215 RF TRANSISTOR;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

PBRP123YT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 40 В, 0.6 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

40V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTA113ET,215 RF TRANSISTOR;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

PDTA113EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 1 кОм+1 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

Сопротивление резистора Э-База R2:

Сообщить о поступлении

PDTA113ZT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTA113ZU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 1 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTA114EMB,315 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении