Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA оптом и в розницу

PDTA114ET,235 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTA114EU,135 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 313 шт

Цена от:

от 6,41₽

PDTA114TU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сообщить о поступлении

PDTA114YU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

PDTA115ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+100 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

100k

Сопротивление резистора Э-База R2:

100k

Сообщить о поступлении

PDTA115EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

100k

Сопротивление резистора Э-База R2:

100k

Сообщить о поступлении

PDTA115TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

100k

Сообщить о поступлении

PDTA123ETVL Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

2.2k

Сообщить о поступлении

PDTA123EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

2.2k

Сообщить о поступлении

PDTA123JT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

PDTA123JU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

PDTA123TM,315 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сообщить о поступлении

PDTA123YU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTA124EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Сообщить о поступлении

PDTA124EU,135 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Сообщить о поступлении

PDTA124TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сообщить о поступлении

PDTA124TU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сообщить о поступлении

-6% Акция

PDTA124XT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

PDTA124XU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

PDTA143EM,315 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Сообщить о поступлении