Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA

136
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (136)
PDTA143EU,115 PDTA143EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
PDTA143TT,215 PDTA143TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
PDTA143XT,215 PDTA143XT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
PDTA143XU,115 PDTA143XU,115 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Производитель:
NEXPERIA
PDTA143ZM,315 PDTA143ZM,315 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
PDTA143ZT,235 PDTA143ZT,235 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 769 шт
Цена от:
от 2,58
PDTA143ZT-QR
Производитель:
NEXPERIA
PDTA143ZU,115 PDTA143ZU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
PDTA144ET,235 PDTA144ET,235 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 817 шт
Цена от:
от 1,40
PDTA144EU,115 PDTA144EU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
PDTA144EU,135 PDTA144EU,135 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
PDTA144VT,215 PDTA144VT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
PDTA144WT,215 PDTA144WT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+22 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
PDTA144WU,115 PDTA144WU,115 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 47 кОм+22 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
PDTB113ET,215 PDTB113ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
1k
Сопротивление резистора Э-База R2:
1k
PDTB114ETR PDTB114ETR Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.32 Вт, 140 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-236AB (SOT23)
PDTB114EUF PDTB114EUF TRANS PREBIAS PNP 0.425W
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-70
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2k
PDTB123TT,215 PDTB123TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
250mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
PDTB123YUX PDTB123YUX Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.3 Вт, 140 МГц, 2.2 кОм+10 кОм
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SC-70
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
300mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
На странице: