Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA оптом и в розницу

PDTB143ETR Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.32 Вт, 140 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-236AB (SOT23)

Сообщить о поступлении

PDTC114EE,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

150mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTC114EM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTC114ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTC114EU,135 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

13 358 шт

Цена от:

от 3,20₽

PDTC114TT,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 168 шт

Цена от:

от 3,70₽

PDTC114YM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

PDTC114YT-QR TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.1A, SOT-23;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

PDTC115EM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+100 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Сообщить о поступлении

PDTC115EU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

100k

Сопротивление резистора Э-База R2:

100k

Сообщить о поступлении

Новинка

PDTC115TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

100k

Сообщить о поступлении

PDTC123EU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

2.2k

Сообщить о поступлении

PDTC123JT,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

24 818 шт

Цена от:

от 3,25₽

PDTC123TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сообщить о поступлении

PDTC123YM,315 RF TRANSISTOR;

Производитель:

NEXPERIA

Сообщить о поступлении

PDTC123YU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+10 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Сообщить о поступлении

PDTC124ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Сообщить о поступлении

PDTC124TU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сообщить о поступлении

PDTC124XT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 22 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

250mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении

PDTC124XU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.5 Вт, 22 кОм+47 кОм

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Сообщить о поступлении