Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

Новинка

MMUN2235LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MMUN2238LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 246mW Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN2111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-59 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

MUN2113T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN2114T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN2211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-59 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

MUN2211T3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

MUN2212T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 338mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

Акция

MUN2213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-59 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 338mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN2214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN2216T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 4.7 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 338mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k

Сообщить о поступлении

MUN2230T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 338mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 1k

Сообщить о поступлении

MUN2232T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 338mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

MUN2233T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 230mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN2237T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 338mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

MUN2240T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+ Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 338mW Сопротивление резистора базы R1: 47k

Сообщить о поступлении

MUN5111T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

MUN5112T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 22 кОм+22 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении

MUN5113T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

MUN5113T3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 202mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении