Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor

131
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (131)
MUN2211T1G MUN2211T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
3 374 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 2,82
Акция
MMUN2133LT1G MMUN2133LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
3 153 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,08
Акция
DTA114EET1G DTA114EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
2 871 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,23
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
2 761 шт

Внешние склады:
4 701 шт
Аналоги:
4 428 шт
Цена от:
от 1,86
Акция
MUN5214T1G MUN5214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
2 015 шт

Внешние склады:
821 шт
Цена от:
от 3,14
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
Наличие:
1 974 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,68
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
1 901 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 4,85
Акция
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
400mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Наличие:
274 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,42
DTA114EM3T5G DTA114EM3T5G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DTA114YET1G DTA114YET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTA114YM3T5G DTA114YM3T5G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTA115EET1G DTA115EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
100k
Сопротивление резистора Э-База R2:
100k
DTA123JET1G DTA123JET1G Bipolar Transistor - With Preset Bias Current 100mA 50V BRT PNP
Производитель:
ON Semiconductor
DTA124EET1G DTA124EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
DTA143EET1G DTA143EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
DTA143TET1G DTA143TET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
DTA143ZET1G DTA143ZET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTA143ZM3T5G DTA143ZM3T5G Bipolar Transistor - With Preset Bias Current 100mA 50V BRT PNP
Производитель:
ON Semiconductor
DTA144EET1G DTA144EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC114EET1G DTC114EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
На странице: