Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

MMUN2132LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Наличие:

5 173 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,46₽

-5% Акция

MUN5135T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

3 444 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,62₽

-5% Акция

DTA114EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Наличие:

2 866 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,40₽

MMUN2112LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Наличие:

1 599 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 2,99₽

-5% Акция

MMUN2133LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

1 187 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,17₽

-5% Акция

MMUN2213LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

842 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 1,14₽

-5% Акция

MMUN2216LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

400mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Наличие:

274 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 0,45₽

Акция

MUN5214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

202mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Наличие:

15 шт

Внешние склады:

815 шт

Цена от:

от 3,51₽

DTA114EM3T5G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-723

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

260mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Связаться с инженером по применению

DTA114YET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

DTA114YM3T5G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-723

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

260mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

DTA115EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

100k

Сопротивление резистора Э-База R2:

100k

Связаться с инженером по применению

DTA123JET1G Bipolar Transistor - With Preset Bias Current 100mA 50V BRT PNP

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

DTA124EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Связаться с инженером по применению

DTA143EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

4.7k

Связаться с инженером по применению

DTA143TET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Связаться с инженером по применению

DTA143ZET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

DTA143ZM3T5G Bipolar Transistor - With Preset Bias Current 100mA 50V BRT PNP

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

DTA144EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

DTC114EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

200mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Связаться с инженером по применению