Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor

131
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (131)
DTC114EM3T5G DTC114EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
DTC114TET1G DTC114TET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
DTC114TM3T5G DTC114TM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
DTC114YET1G DTC114YET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC114YM3T5G DTC114YM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC115EET1G TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75, SOT-416
DTC115EM3T5G DTC115EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 100 кОм+100 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
100k
Сопротивление резистора Э-База R2:
100k
DTC123EET1G DTC123EET1G NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (BRT);
Производитель:
ON Semiconductor
DTC123JET1G DTC123JET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC123JM3T5G DTC123JM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC124EET1G DTC124EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
DTC124XET1G DTC124XET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 22 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC143EET1G DTC143EET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
DTC143EM3T5G DTC143EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
DTC143TM3T5G DTC143TM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
DTC143ZET1G DTC143ZET1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-75
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC143ZM3T5G DTC143ZM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC144EM3T5G DTC144EM3T5G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.26 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
260mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
DTC144WET1G DTC144WET1G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75(SOT-416)
Производитель:
ON Semiconductor
FJV3101RMTF FJV3101RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
На странице: