Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor

131
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (131)
FJV3104RMTF FJV3104RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
FJV3105RMTF FJV3105RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
FJV3113RMTF FJV3113RMTF Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
200mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
FJY3002R FJY3002R Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Акция
KSR1004 KSR1004 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
MMUN2111LT3G MMUN2111LT3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
73 387 шт
Цена от:
от 1,13
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
14 589 шт
Цена от:
от 1,03
MMUN2115LT1G MMUN2115LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
400mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
MMUN2116LT1G MMUN2116LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
MMUN2130LT1G MMUN2130LT1G PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (BRT);
Производитель:
ON Semiconductor
MMUN2131LT1G MMUN2131LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2k
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MMUN2137LT1G MMUN2137LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 352 шт
Цена от:
от 1,37
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2k
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
246mW
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN2113T1G MUN2113T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN2114T1G MUN2114T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
На странице: