Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor

131
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (131)
MUN2211T3G MUN2211T3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
10k
MUN2212T1G MUN2212T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
338mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
-5% Акция
MUN2213T1G MUN2213T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
338mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN2214T1G MUN2214T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN2216T1G MUN2216T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 4.7 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
338mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
MUN2230T1G MUN2230T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 1 кОм+1 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
338mW
Сопротивление резистора базы R1:
1k
Сопротивление резистора Э-База R2:
1k
MUN2232T1G MUN2232T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
338mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
MUN2233T1G MUN2233T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
230mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN2237T1G MUN2237T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
338mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
MUN2240T1G MUN2240T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-59
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
338mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
MUN5112T1G MUN5112T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
22k
MUN5113T1G MUN5113T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN5113T3G MUN5113T3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
47k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN5114T1G MUN5114T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
Сопротивление резистора Э-База R2:
47k
MUN5131T1G MUN5131T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
2.2k
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2k
MUN5132T1G MUN5132T1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
PNP - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
MUN5212T1G MUN5212T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 22 кОм+22 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
22k
Сопротивление резистора Э-База R2:
2.2k
MUN5215T1G MUN5215T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
10k
MUN5230T1G MUN5230T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 1 кОм+1 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
1k
Сопротивление резистора Э-База R2:
1k
MUN5232T1G MUN5232T1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора:
NPN - Pre-Biased
Напряжение КЭ Макс.:
50V
Мощность Макс.:
202mW
Сопротивление резистора базы R1:
4.7k
Сопротивление резистора Э-База R2:
4.7k
На странице: