Одиночные цифровые транзисторы ON Semiconductor оптом и в розницу

NSVDTA114EET1G RF TRANS, SINGLE PNP, 50V, 0.1A, SC-75;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

NSVDTA115EET1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-75

Связаться с инженером по применению

NSVDTC114YM3T5G Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

NSVMMUN2112LT1G TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

22k

Связаться с инженером по применению

NSVMMUN2113LT3G Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Связаться с инженером по применению

NSVMMUN2132LT1G TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Связаться с инженером по применению

NSVMMUN2133LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Связаться с инженером по применению

SDTC114YET1G RF TRANS, SINGLE NPN, 50V, 0.1A, SC-75;

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

SMMUN2111LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2111LT3G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2113LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2114LT1G Bipolar transistors - with preset bias current SS PBRT SPCL TR

Производитель:

ON Semiconductor

Связаться с инженером по применению

SMMUN2134LT1G Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

PNP - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2211LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2211LT3G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

10k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2213LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

47k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2214LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

10k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2233LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

4.7k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2234LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+47 кОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

22k

Сопротивление резистора Э-База R2:

47k

Связаться с инженером по применению

SMMUN2238LT1G Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Тип транзистора:

NPN - Pre-Biased

Напряжение КЭ Макс.:

50V

Мощность Макс.:

246mW

Сопротивление резистора базы R1:

2.2k

Связаться с инженером по применению