Радиочастотные (RF FET) транзисторы NXP / Philips
30
Производитель:
NXP / Philips
MRF101BN
RF FET TRANSISTOR, 133V, 182W, TO-220; Drain Source Voltage Vds:133V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:182W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:250MHz; RF Transistor Case:TO-220; N
Производитель:
NXP / Philips
MRF300BN
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 133В 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-247
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2
MRFE6VS25GNR1
Полевой транзистор, радиочастотный, мощный, N-канальный, 133В 512МГц TO-270-2 GULL
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2 GULL
MW6S004NT1
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 28V, 4W
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
PLD-1.5
Сообщите мне о поступлении товара