Радиочастотные (RF FET) транзисторы NXP / Philips
30
Производитель:
NXP / Philips
AFT05MS004NT1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-89-3
Наличие:
303 шт
Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 238,46₽
BF511,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Наличие:
1 911 шт
Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,18₽
Акция
BF513,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
Наличие:
57 шт
Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,77₽
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 1 127,18₽
AFT05MS031NR1
Транзистор полевой FET вымокочастотный 40В 520МГц TO-270-2
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2
Наличие:
19 шт
Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 093,03₽
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 1 165,94₽
MRF300AN
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 133В 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-247
Наличие:
1 шт
Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6 029,80₽
Акция
MW6S010GNR1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный высокочастотный 28В 10Вт TO270-2GW
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
TO-270-2 GULL
Наличие:
15 шт
Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4 185,06₽
AFT05MS031GNR1
RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:294W; Operating Frequency Min:136MHz; Operating Frequency Max:520MHz; RF Transistor Case:TO-270; No. o
Производитель:
NXP / Philips
AFT09MS007NT1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 3-Pin PLD-1.5W лента на катушке
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
PLD-1.5
AFT27S006NT1
RF FET, 65V, 728MHZ-3700MHZ, PLD-1.5W; Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:-; Operating Frequency Min:728MHz; Operating Frequency Max:3700MHz; RF Transistor Case:PLD-1.5W; No
Производитель:
NXP / Philips
BF510,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF545A,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.25 Вт, 6.5 мА
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF545B,215
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 31 В, 0.25 Вт, 15 мА
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-23
BF992,215
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 20В 40мА 200мВт 200МГц Tj=150°C
Производитель:
NXP / Philips
Корпус:
SOT-143B
MRF101AN
RF FET TRANSISTOR, 133V, 182W, TO-220; Drain Source Voltage Vds:133V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:182W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:250MHz; RF Transistor Case:TO-220; N
Производитель:
NXP / Philips
Сообщите мне о поступлении товара