Сборки MOSFET транзисторов

124
Напряжение сток-исток макс.: 20 В
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (124)
NTHC5513T1G NTHC5513T1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 1206 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.9 А, 2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.9 А, 3.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD3102CT1G NTHD3102CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А/3.1 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А, 3.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А, 1.13Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.13 Вт
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 630 мА, 0.55Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.6 А, 2.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
710 мВт
NTLUD3A260PZTAG NTLUD3A260PZTAG Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-UDFN (1.6x1.6)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3.92 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
730 мВт
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
750 мВт
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
220 мА, 200 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 мВт
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 мВт
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА, 0.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
540 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 0.54 А/0.43 А, 0.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
540 мА, 430 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.63 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
PMDPB58UPE,115 PMDPB58UPE,115 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-HUSON (2x2)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
515 мВт
SI1034CX-T1-GE3 SI1034CX-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В
Производитель:
Vishay
Корпус:
SC-89-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
220 мВт
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 700 мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
700 мА, 500 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
340 мВт
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 1.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
420 мВт
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 1.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
На странице:

Сборки MOSFET – объединения в одном корпусе МОП-транзисторов. Как правило, они сочетают в себе как N-канальные, так и P-канальные транзисторы, но некоторые конфигурации предусматривают, например, 4 N-канальных или 2 P-канальных транзистора, а также N- и P-канальные полевые транзисторы с общим истоком. Сборки транзисторов могут облегчить проектирование печатной платы, сэкономить её полезную площадь, а также за счёт выполнения в рамках одного технологического процесса обладать очень близкими характеристиками.

Каталог интернет-магазина «Промэлектроника» содержит широкий ассортимент сборок MOSFET: 2N-канальные, 2N+2P-канальные, N- и P-канальные с одинаковым истоком и т.д. Они представлены моделями лучших компаний-производителей электроники: Infineon, ROHM и др.

Купить сборки MOSFET-транзисторов возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Сборки MOSFET транзисторов

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Сборки MOSFET транзисторов в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Сборки MOSFET транзисторов - от 1.22 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Сборки MOSFET транзисторов в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Сборки MOSFET транзисторов в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"