Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

146
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (146)
DMC3730UVT-7 DMC3730UVT-7 25V 680mA 900mW 1.1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel TSOT-26 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diodes Incorporated
DMC4028SSD-13 DMC4028SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
6.5 А, 4.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
DMC4029SK4-13 DMC4029SK4-13 DUAL MOSFET, N/P-CH, 40V, 8.3A, TO-252;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMC4040SSD-13 DMC4040SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 6.8 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
DMC4040SSDQ-13 Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
N+P-channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
40V
Ток стока макс.:
7.5A
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 MOSFET, DUAL, N/P-CH, 40V, 7A;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMC4050SSD-13 DMC4050SSD-13 MOSFET, DUAL, N/P-CH, 40V, 5.3A;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG1016UDW-7 DMG1016UDW-7 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.07 А, 845 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
330 мВт
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ-7 Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
N+P-channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
1.066A/0.845A
DMG1016V-7 DMG1016V-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
N+P-channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
0.87A/0.64A
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 1.03 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
1.03 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
530 мВт
DMG1023UVQ-13 20V 1.03A 530mW 2 P-Channel SOT-563 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG1023UVQ-7 High Enhancement Mode MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG1024UV-7 DMG1024UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2 N-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
1.38A
Максимальная рассеиваемая мощность:
530mW
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 MOSFET N/P-CH 60V SOT563
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
N and P-Channel
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
60V
Ток стока макс.:
500mA, 360mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
450mW
DMG1029SVQ-7 DMG1029SVQ-7 MOSFET, DUAL, N/P-CH, 60V, 0.5A;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG4800LSDQ-13 Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
N-Channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.5A
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 10 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
DMG5802LFX-7 DMG5802LFX-7 MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-DFN5020 (5x2)
Тип транзистора:
N-Channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
24V
Ток стока макс.:
6.5A
На странице: