Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

146
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (146)
DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-13 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2xN-channel
Напряжение сток-исток макс.:
25V
Ток стока макс.:
0.24A
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW-7 Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG6302UDW-13 DMG6302UDW-13 25V 150mA 380mW 13Om@2.7V,140mA 2 P-Channel SOT-363 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DMG6302UDW-7 MOSFET BVDSS: 25V30V SOT363 T&R 3K
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 MOSFET, N-CH, 30V, 5.3A, SOT-26;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 MOSFET, N-CH, 30V, 6A, TSOT-26;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 0.85Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TSOT-26
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
3.8 А, 2.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
850 мВт
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Полевой транзистор, N/P-канальный, 30 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TSOT-23-6
Тип транзистора:
N+P-channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
3.4A/2.8A
DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTQ-7 MOSFET, AECQ101, COMPLEMENT, 30V, TSOT26; Transistor Polarity:N and P Complement; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Vo
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG6602SVTX-7 DMG6602SVTX-7 MOSFET, DUAL, N-CH, 30V, 3.4A;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG6898LSD-13 DMG6898LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 9.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
9.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.28 Вт
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Trans MOSFET N-CH 20V 6.1A 8-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG8822UTS-13 Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
980 мВт
DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG9933USD-13 DMG9933USD-13 MOSFET, DUAL, P-CH, 20V, 4.6A;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMHC3025LSD-13 DMHC3025LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 30 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N/2P-Channel
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
6 А, 4.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
DMHC4035LSD-13 DMHC4035LSD-13 MOSFET, N/P-CH, 40V, 4.5A;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMHT6016LFJ-13 DMHT6016LFJ-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 14.8А
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2004DMK-7 DMN2004DMK-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
540 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
225 мВт
На странице: