Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (81)

DMP4025LSDQ-13 Производитель: Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMP4050SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 40 В, 4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: P-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 40V Маскимальный ток стока: 5.2A

Сообщить о поступлении

DMT3020LSDQ-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 16 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOP8

Сообщить о поступлении

ZXMC3A16DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4.9 А, 4.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMC3A17DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 4.1 А, 3.4 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMC3AMCTA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2.9 А/2.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN8-(3x2) Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.9 А, 2.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMC6A09DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 3.9 А, 3.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMD63N03XTA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: MSOP8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMD63P02XTA Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: MSOP8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMHC10A07T8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 100 В, 1 А/0.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SM8 Тип транзистора: 2N/2P-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 1 А, 800 мА Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMHC3A01T8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 30 В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SM8 Тип транзистора: 2N/2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 2.7 А, 2 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMHC6A07N8TC MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 1.39A, 1.28A Максимальная рассеиваемая мощность: 870mW

Сообщить о поступлении

ZXMN10A08DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 1.6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMN3G32DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 5.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMN6A09DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 4.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 4.3 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 2.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 2.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMN6A25DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.8 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 3.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMP6A16DN8TA MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: P-Channel Особенности: Automotive Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 3.9A

Сообщить о поступлении

ZXMP6A17DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 2.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.81 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMP6A18DN8TA MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2 P-Channel (Dual) Особенности: Logic Level Gate Максимальное напряжение сток-исток: 60V Маскимальный ток стока: 3.7A Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8W

Сообщить о поступлении