Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

146
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (146)
DMN2004DWK-7 DMN2004DWK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.54A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
DMN2004TK-7 DMN2004TK-7 Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DMN2004VK-7 DMN2004VK-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
540 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B MOSFET, DUAL N-CH, 0.54A, 20V, 150°C;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2005DLP4K-7 DMN2005DLP4K-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 300 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-DFN1310H4 (1.0x1.3)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
300 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
400 мВт
DMN2005K-7 DMN2005K-7 MOSFET, N-CH, 20V, 0.3A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2016UTS-13 DMN2016UTS-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 8.58 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
8.58 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
880 мВт
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.7 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
6.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
890 мВт
DMN2041LSD-13 DMN2041LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.63 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
7.63 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.16 Вт
DMN2041UVT-7 DMN2041UVT-7 MOSFET, DUAL N-CH, 5.8A, 20V, 150°C;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2044UCB4-7 DMN2044UCB4-7 Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin UWLP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2046U-13 DMN2046U-13 Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DMN2300UFB-7B DMN2300UFB-7B MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Тип транзистора:
N-Channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
1.78A
DMN2300UFL4-7 DMN2300UFL4-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 2.11 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
X2-DFN1310-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2.11 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
530 мВт
DMN2300UFL4Q-7 20V 2.11A 520mOm@1.5V 1.39W Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2310UT-13 DMN2310UT-13 MOSFET, N-CH, 20V, 1.2A, SOT-523;
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DMN2310UW-13 DMN2310UW-13 20V 1.3A 550mW 200mOm@4.5V,300mA One N-channel SOT-323 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SOT-323;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2310UWQ-7 MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: