Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

146
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (146)
DMC21D1UDA-7B DMC21D1UDA-7B MOSFET, DUAL, N/P-CH, 20V, 0.455A;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DUAL MOSFET, COMPLEMENT, 30V, 8.5A, SOIC;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMC3400SDW-7 DMC3400SDW-7 Транзистор полевой MOSFET N/P-канальный 30В 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
DMC4028SSD-13 DMC4028SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
6.5 А, 4.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
DMC4040SSDQ-13 Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
N+P-channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
40V
Ток стока макс.:
7.5A
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Trans MOSFET N-CH 20V 6.1A 8-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
980 мВт
DMN2004DWK-7 DMN2004DWK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.54A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
DMN2005DLP4K-7 DMN2005DLP4K-7 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 300 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-DFN1310H4 (1.0x1.3)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
300 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
400 мВт
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.7 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
8-TSSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
6.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
890 мВт
DMN2046U-13 Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN2310UWQ-7 MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN24H3D5L-7 DMN24H3D5L-7 MOSFET, N-CH, 240V, 0.48A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:480mA; Drain Source Voltage Vds:240V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.95V;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN3024SFG-7 DMN3024SFG-7 30V 7.5A 2.2W 23mOhm@10V,10A 2.4V 1 N-Channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 5.2 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
5.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.42 Вт
DMN5L06VK-7 DMN5L06VK-7 MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-563
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2 N-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
50V
Ток стока макс.:
280mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
250mW
DMN61D8LVT-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.63 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
2xN-channel
Напряжение сток-исток макс.:
60V
Ток стока макс.:
0.63A
DMN63D8LW-13 DMN63D8LW-13 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
N-Channel
DMP2066LSD-13 DMP2066LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 5.8 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
DMP4025LSDQ-13
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 32,88
На странице: