Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

₁₄₆

Производитель: Diodes Incorporated

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (146)

DMN3190LDWQ-7 DUAL MOSFET, N-CH, 30V, 1A, SOT-363;

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMN4031SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 5.2 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

40 В

Ток стока макс.:

5.2 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.42 Вт

Сообщить о поступлении

DMN5L06VK-7 MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-563

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-563-6

Тип транзистора:

2 N-Channel (Dual)

Особенности:

Logic Level Gate

Напряжение сток-исток макс.:

50V

Ток стока макс.:

280mA

Максимальная рассеиваемая мощность:

250mW

Сообщить о поступлении

DMN6040SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

N-Channel

Особенности:

Automotive

Напряжение сток-исток макс.:

60V

Ток стока макс.:

Сообщить о поступлении

DMN6070SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.3 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

60 В

Ток стока макс.:

3.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.2 Вт

Сообщить о поступлении

DMN61D8LVT-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.63 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Тип транзистора:

2xN-channel

Напряжение сток-исток макс.:

60V

Ток стока макс.:

0.63A

Сообщить о поступлении

DMN63D8LW-13 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:

Diodes Incorporated

Тип транзистора:

N-Channel

Сообщить о поступлении

DMP2066LSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 5.8 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Сообщить о поступлении

DMP4025LSDQ-13

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

DMT3020LSDQ-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 16 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Сообщить о поступлении

ZXMC3A16DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

N/P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

4.9 А, 4.1 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.25 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMC3A17DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

N/P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

4.1 А, 3.4 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.25 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMC3AMCTA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2.9 А/2.1 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

DFN8-(3x2)

Тип транзистора:

N/P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

2.9 А, 2.1 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.7 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMC6A09DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

N/P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

60 В

Ток стока макс.:

3.9 А, 3.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.8 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMD63N03XTA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.3 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

MSOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

2.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.04 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMD63P02XTA Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

MSOP8

Тип транзистора:

2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.04 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMHC10A07T8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 100 В, 1 А/0.8 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SM8

Тип транзистора:

2N/2P-канальный

Особенности:

стандартный

Напряжение сток-исток макс.:

100 В

Ток стока макс.:

1 А, 800 мА

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.3 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMHC3A01T8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 30 В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SM8

Тип транзистора:

2N/2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

2.7 А, 2 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.3 Вт

Сообщить о поступлении

ZXMHC6A07N8TC MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Особенности:

Logic Level Gate

Напряжение сток-исток макс.:

60V

Ток стока макс.:

1.39A, 1.28A

Максимальная рассеиваемая мощность:

870mW

Сообщить о поступлении

ZXMN10A08DN8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.6 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

100 В

Ток стока макс.:

1.6 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

1.25 Вт

Сообщить о поступлении