Сборки MOSFET транзисторов Diodes Incorporated

146
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (146)
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 16 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
ZXMC3A16DN8TA ZXMC3A16DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4.9 А, 4.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
ZXMC3AMCTA ZXMC3AMCTA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2.9 А/2.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DFN8-(3x2)
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.9 А, 2.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.7 Вт
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.9 А, 3.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
ZXMD63P02XTA ZXMD63P02XTA Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.04 Вт
ZXMHC10A07T8TA ZXMHC10A07T8TA Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 100 В, 1 А/0.8 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SM8
Тип транзистора:
2N/2P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
1 А, 800 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
На странице: