Сборки MOSFET транзисторов NEXPERIA

68
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (68)
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 P-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
550mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
330mW
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ МОП-транзистор 30В Dual N-Channel Trench МОП-транзистор
Производитель:
NEXPERIA
PMDXB590UPEZ MOSFET, DUAL, P-CH, 20V, 0.57A, DFN1010B;
Производитель:
NEXPERIA
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNELZ MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.6A, DFN1010B; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.47ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage
Производитель:
NEXPERIA
PMDXB600UNEZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-DFN (1.1x1)
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPEZ Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSSOP
Тип транзистора:
2 N-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
60V
Ток стока макс.:
490mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
410mW
На странице: