Сборки MOSFET транзисторов NEXPERIA

68
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (68)
PMDPB30XNAX PMDPB30XNAX MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 4.5A, DFN2020;
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 MOSFET, DUAL P-CH, 20V, SOT1118; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB56XNEAX PMDPB56XNEAX MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 3.1A, DFN2020D;
Производитель:
NEXPERIA
PMDPB58UPE,115 PMDPB58UPE,115 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.6 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-HUSON (2x2)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3.6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
515 мВт
PMDPB70XP,115 PMDPB70XP,115 Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin HUSON EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Тип транзистора:
2 P-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
20V
Ток стока макс.:
550mA
Максимальная рассеиваемая мощность:
330mW
PMDXB590UPEZ 20V 570mA 6W 770mOhm@4.5V 1V@250uA DFN-6(1x1) MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNELZ MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.6A, DFN1010B; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.47ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage
Производитель:
NEXPERIA
На странице: