Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (175)

FDMC8200 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А/12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 8 А, 12 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт, 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDMC8200S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А/8.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 6 А, 8.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 700 мВт, 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDME1023PZT Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Тип транзистора: 2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 2.6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 600 мВт

Сообщить о поступлении

FDME1024NZT Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 600 мВт

Сообщить о поступлении

FDME1034CZT Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Тип транзистора: N/P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 20 В Маскимальный ток стока: 3.8 А, 2.6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 600 мВт

Сообщить о поступлении

FDMQ8203 Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 100 В/80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: * Тип транзистора: 2N/2P-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, 80 В Маскимальный ток стока: 3.4 А, 2.6 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 Вт

Сообщить о поступлении

FDMQ8403 Сборка из полевых транзисторов, 4N-канальный, 100 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MLP12-(5x4.5) Тип транзистора: 4N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 3.1 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 Вт

Сообщить о поступлении

FDMQ86530L Сборка из полевых транзисторов, 4N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MLP12-(5x4.5) Тип транзистора: 4N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Маскимальный ток стока: 8 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 Вт

Сообщить о поступлении

FDMS3602S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 15 А/26 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56

Сообщить о поступлении

FDMS3669S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 13 А/18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 13 А, 18 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDMS3686S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 13 А/23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-PQFN (5x6)

Сообщить о поступлении

FDMS7600AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 12 А, 22 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDMS7602S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/17 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 12 А, 17 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDMS7700S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 12 А, 22 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDMS8090 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 10 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 Вт

Сообщить о поступлении

FDMS9600S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12 А/16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 12 А, 16 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDMS9620S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А/10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Маскимальный ток стока: 7.5 А, 10 А Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт

Сообщить о поступлении

FDPC8011S Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 13 А/27 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 25 В Маскимальный ток стока: 13 А, 27 А Максимальная рассеиваемая мощность: 800 мВт, 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS3890 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 80 В, 4.7 А, 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: Логическое управление Максимальное напряжение сток-исток: 80 В Маскимальный ток стока: 4.7 А Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS3992 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзистора: 2N-канальный Особенности: стандартный Максимальное напряжение сток-исток: 100 В Маскимальный ток стока: 4.5 А Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 Вт

Сообщить о поступлении