Сборки MOSFET транзисторов ON Semiconductor

₂₀₁

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки MOSFET транзисторов (201)

FDS4897AC Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 6.1 А/5.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

N/P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

40 В

Ток стока макс.:

6.1 А, 5.2 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS4935BZ Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 6.9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

6.9 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS4953 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, -30 В, -5 А, 2 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6875 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Ток стока макс.:

6 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6890A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Ток стока макс.:

7.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6892A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6898A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 9.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Ток стока макс.:

9.4 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6898AZ Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 9.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Ток стока макс.:

9.4 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6910 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

7.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6911 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 7.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

20 В

Ток стока макс.:

7.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6930A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

5.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6930B Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

5.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6961A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 3.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6975 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

6 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6982AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.3 А/8.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

6.3 А, 8.6 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6984AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.5 А/8.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6986AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6.5 А/7.9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

6.5 А, 7.9 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6990A Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2N-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

7.5 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении

FDS6990AS Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Тип транзистора:

2xN-channel

Напряжение сток-исток макс.:

30V

Ток стока макс.:

7.5A

Сообщить о поступлении

FDS8858CZ Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, -7.3 А/8.6 А, 2 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Тип транзистора:

N/P-канальный

Особенности:

Логическое управление

Напряжение сток-исток макс.:

30 В

Ток стока макс.:

8.6 А, 7.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность:

900 мВт

Сообщить о поступлении