Сборки MOSFET транзисторов Vishay

93
Производитель: Vishay
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (93)
SI7904BDN-T1-E3 SI7904BDN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
17.8 Вт
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 1.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
1.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
SI7923DN-T1-E3 SI7923DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
SI7942DP-T1-E3 SI7942DP-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 3.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
100 В
Ток стока макс.:
3.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.4 Вт
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 3.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 3.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
60 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
46 Вт
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.5 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
7.8 Вт
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 16 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-PowerPair[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
16 А, 35 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
27 Вт, 48 Вт
SIZ918DT-T1-GE3 SIZ918DT-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 16 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-PowerPair[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
16 А, 28 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
29 Вт, 100 Вт
SQ4284EY-T1_GE3 Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SO T/R
Производитель:
Vishay
Тип транзистора:
N-Channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
40V
Ток стока макс.:
8A
На странице: