Сборки MOSFET транзисторов Vishay

92
Производитель: Vishay
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (92)
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 3.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 3.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
60 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
46 Вт
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 60 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
60 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
46 Вт
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SIA910EDJ-T1-GE3 SIA910EDJ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 12 В, 4.5 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Dual
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
12 В
Ток стока макс.:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
7.8 Вт
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.5 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Dual
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
7.8 Вт
SIZ340DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 30 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
30 А, 40 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
16.7 Вт, 31 Вт
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 16 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-PowerPair[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
16 А, 35 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
27 Вт, 48 Вт
SIZ918DT-T1-GE3 SIZ918DT-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 16 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-PowerPair[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
16 А, 28 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
29 Вт, 100 Вт
SQ4284EY-T1_GE3 Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SO T/R
Производитель:
Vishay
Тип транзистора:
N-Channel
Особенности:
Automotive
Напряжение сток-исток макс.:
40V
Ток стока макс.:
8A
На странице: