Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) Qorvo, Inc
8
Производитель:
Qorvo, Inc
UJ3N120035K3S
Silicon Carbide (SiC) JFET – EliteSiC, Power N-Channel, TO247-3, 1200 V, 35 mohm
Производитель:
Qorvo, Inc
Корпус:
TO-247-3
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара