Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) Qorvo, Inc

8
Производитель: Qorvo, Inc
Фильтр
Корпус
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) (8)
UF3C065030B3 650V 35m? 242W TO-263(D2PAK) Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Qorvo, Inc
UF3C120080B7S UF3C120080B7S SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, D2PAK;
Производитель:
Qorvo, Inc
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 31A, TO-247;
Производитель:
Qorvo, Inc
UJ3D06508TS UJ3D06508TS SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, TO-220;
Производитель:
Qorvo, Inc
UJ3D1250K2 1.2kV 1.7V@50A 50A TO-247-2 Single Diodes RoHS
Производитель:
Qorvo, Inc
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 85A, TO-247;
Производитель:
Qorvo, Inc
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S Silicon Carbide (SiC) JFET – EliteSiC, Power N-Channel, TO247-3, 1200 V, 35 mohm
Производитель:
Qorvo, Inc
Корпус:
TO-247-3
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 33.5A, TO-247;
Производитель:
Qorvo, Inc
На странице: