Силовые модули IGBT Infineon Technologies

229
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер
Ток коллектора
Максимальная мощность
Входная емкость
Силовые модули IGBT (229)
FP15R12W1T4B11BOMA1 FP15R12W1T4B11BOMA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 28A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:28A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Производитель:
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B3BOMA1 FP15R12W1T4B3BOMA1 IGBT MOD, SIX N-CH, 1.2KV, 15A, 130W;
Производитель:
Infineon Technologies
FP15R12W1T7B11BOMA1 FP15R12W1T7B11BOMA1 IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 15A;
Производитель:
Infineon Technologies
FP15R12W1T7B3BOMA1 FP15R12W1T7B3BOMA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP15R12YT3 FP15R12YT3 Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 25 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
EASY2B-1
FP20R06W1E3B11BOMA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP25R12KE3BOSA1 FP25R12KE3BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP25R12KT3BOSA1 FP25R12KT3BOSA1 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
FP25R12KT3BPSA1 FP25R12KT3BPSA1 IGBT MODULE, 1.2KV, 40A, 155W, PRESS FIT
Производитель:
Infineon Technologies
FP25R12KT4B15BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ, 25 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO3-1
FP25R12N2T7 PIM IGBT 1200 В, 25 А, 7-поколения;
Производитель:
Infineon Technologies
FP25R12W2T7B11BPSA1 FP25R12W2T7B11BPSA1 IGBT MODULE, SEVEN N CHANNEL, 1.2KV, 25A;
Производитель:
Infineon Technologies
FP35R12KT4B11BOSA1 FP35R12KT4B11BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP35R12KT4B15BOSA1 FP35R12KT4B15BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO2-1
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
35А
Максимальная мощность:
210 Вт
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 54A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:54A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:215W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Производитель:
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PB11BPSA1 FP35R12W2T4PB11BPSA1 IGBT MOD, SIX N CHANNEL, 1.2KV, 35A; Transistor Polarity:Six N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tran
Производитель:
Infineon Technologies
FP35R12W2T7B11BOMA1 FP35R12W2T7B11BOMA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP40R12KE3BOSA1 FP40R12KE3BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ, 55 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO3-1
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
55А
FP40R12KE3GBOSA1 FP40R12KE3GBOSA1 Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
55А
FP50R06KE3BOSA1 FP50R06KE3BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
На странице:

Силовые модули IGBT сочетают в себе несколько IGBT (БТИЗ) транзисторов в различных конфигурациях под конкретные задачи. Такие решения позволяют усилить преимущество IGBT в виде возможности управления очень мощными нагрузками, при этом улучшив охлаждение и упростив монтаж схемы.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке силовые модули IGBT по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют силовые IGBT модули производства  Leapers, Xiner, Hitachi, Infineon, TechSem, Semikron, Mitsubishi и др. У нас на складе в наличии IGBT-модули в конфигурациях Full Bridge Inverter (полномостовой инвертер), Half Bridge (полумост), как однофазные, так и трёхфазные.

Купить силовые IGBT модули лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Силовые модули IGBT Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Силовые модули IGBT Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Силовые модули IGBT Infineon Technologies - от 939.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Силовые модули IGBT Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Силовые модули IGBT Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"