IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 119,91
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 074,78
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 288,01
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
207 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 96,95
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1221)
DFI450HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Корпус: ECONOD-3 Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
5 097 шт

Под заказ:
236 шт
Аналоги:
2 833 шт
Цена от:
от 9 421,11
DFI450HF17I4RE1 IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Конфигурация: Полумост Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 450А Наличие термистора: да
Наличие:
4 049 шт

Под заказ:
102 шт
Аналоги:
105 шт
Цена от:
от 11 791,97
DFI600HF17I4RE1 IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 600А Максимальная мощность: 3906 Вт Входная емкость: 49.5 нФ
Наличие:
568 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
278 шт
Цена от:
от 14 666,60
DG20X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
291 шт

Под заказ:
1 250 шт
Цена от:
от 159,74
DG40F12T2 Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247 Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
278 шт

Под заказ:
1 677 шт
Цена от:
от 284,59
Акция DG50X06T2 Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
95 шт

Под заказ:
2 643 шт
Цена от:
от 284,00
DG75X07T2L Биполярный транзистор IGBT, 650В 150А 980Вт Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247
Наличие:
89 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 516,55
FF150R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 34 mm
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6 027,97
FF200R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 62 mm Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
94 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
65 шт
Цена от:
от 8 433,75
FF450R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А Производитель: Infineon Technologies Корпус: AG-62MMHB Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
Наличие:
45 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
60 шт
Цена от:
от 15 397,99
Новинка IKA10N60TXKSA1 Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F
Наличие:
146 шт

Под заказ:
1 420 шт
Цена от:
от 119,91
IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж
Наличие:
1 367 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 457,46
Акция IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 160 мкДж
Наличие:
159 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 144,05
Акция IRG4PC30UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 380 мкДж
Наличие:
110 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 673,02
IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 49 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 160 Вт Переключаемая энергия: 370 мкДж
Наличие:
184 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 718,84
Акция IRGB4059DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 8 А Импульсный ток коллектора макс.: 16 А Макс. рассеиваемая мощность: 56 Вт Переключаемая энергия: 35 мкДж
Наличие:
228 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 54,09
Акция IRGB4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 12 А Макс. рассеиваемая мощность: 58 Вт Переключаемая энергия: 140 мкДж
Наличие:
71 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 44,85
IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
1 338 шт

Под заказ:
980 шт
Цена от:
от 401,67
IRGP50B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
Наличие:
215 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 186,43
Новинка SKM75GB17E4 Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 88А Производитель: Semikron Elektronik GmbH Корпус: SEMITRANS® 2 Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 88А
Наличие:
72 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4 842,05
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"