IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 121,33
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 095,73
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 286,45
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
192 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 97,93
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(118)
CM200DU-24F Биполярный транзистор IGBT, 200A, 1200V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module
CM200DU-24NFH IGBT MOD DUAL 1200V 200A NFH SER Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Half Bridge Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 830W Входная емкость: 32nF @ 10V Наличие термистора: нет
CM200DX-24S Модуль IGBT CM200DX-24S MIT Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Half Bridge Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 1500W Входная емкость: 20nF @ 10V
Акция CM200DY-12H Биполярный транзистор IGBT, 200A, 600V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Полумост Напряжение коллектор-эмиттер: 600В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 780 Вт Входная емкость: 20 нФ Наличие термистора: нет
CM200DY-12NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 600V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Полумост Напряжение коллектор-эмиттер: 600В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 650 Вт Входная емкость: 30 нФ Наличие термистора: нет
CM200DY-24A Биполярный транзистор IGBT, 200A, 1200V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Полумост Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 1340 Вт Входная емкость: 35 нФ Наличие термистора: нет
CM200DY-24NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 1200V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Полумост Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 1130 Вт Входная емкость: 47 нФ Наличие термистора: нет
CM200DY-34T Производитель: Mitsubishi Electric
CM200RL-12NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 600V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Трехфазный инвертер Напряжение коллектор-эмиттер: 600В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 890 Вт Входная емкость: 30 нФ Наличие термистора: нет
CM200RL-24NF Биполярный транзистор IGBT, 200A, 1200V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Трехфазный инвертер Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 200А Максимальная мощность: 1160 Вт Входная емкость: 35 нФ Наличие термистора: нет
CM300DU-24NFH Биполярный транзистор IGBT, 300A, 1200V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module
CM300DU-24NFH Производитель: Mitsubishi Electric
CM300DX-24S Модуль IGBT CM300DX-24S MIT Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Half Bridge Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 300А Максимальная мощность: 2270W Входная емкость: 30nF @ 10V
CM300DX-24S1 IGBT MOD NX 300A 1200V DUAL Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Конфигурация: Half Bridge Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 300А Максимальная мощность: 1850W Входная емкость: 30nF @ 10V
CM300DX-24T Силовой модуль IGBT сдвоенный 1200В 300A Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В
CM300DX-34T Производитель: Mitsubishi Electric
CM300DY-12NF Модуль силовой IGBT сдвоенный 600В 300А 7 выводов Производитель: Mitsubishi Electric Напряжение коллектор-эмиттер: 600В Ток коллектора: 300А
CM300DY-12NF IGBT MOD DUAL 600V 300A NF SER Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module
CM300DY-24A Биполярный транзистор IGBT, 300A, 1200V Производитель: Mitsubishi Electric Корпус: Module
CM300DY-24A Производитель: Mitsubishi Electric
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"