Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (660)
Новинка AUIRGR4045D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak (TO-252AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 12 А Импульсный ток коллектора макс.: 18 А Макс. рассеиваемая мощность: 77 Вт Переключаемая энергия: 56 мкДж
Наличие:
121 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 76,93
GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) Производитель: Toshiba Semiconductor Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 240W
Наличие:
114 шт
Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 724,30
GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 50A Макс. рассеиваемая мощность: 230W
Наличие:
331 шт
Под заказ:
800 шт
Цена от:
от 151,74
IHW20N120R3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 310W Переключаемая энергия: 950 мкДж
Наличие:
374 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 178,16
IHW20N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1350V Макс. ток коллектора: 40A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 288W Переключаемая энергия: 950 µJ (off)
Наличие:
227 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 142,44
IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
50 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 317,80
IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600 В Макс. ток коллектора: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 310 Вт
Наличие:
224 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 284,87
IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 326 Вт Переключаемая энергия: 2.65 мДж
Наличие:
60 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 901,94
IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 50 А Импульсный ток коллектора макс.: 100 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 2.9 мДж
Наличие:
84 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 340,75
IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 187W
Наличие:
72 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 191,82
IKW30N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 187W
Наличие:
45 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 319,29
IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж
Наличие:
524 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 771,76
IKW40N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 480 Вт Переключаемая энергия: 5.25 мДж
Наличие:
209 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 644,02
IKW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 74 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 255 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
Наличие:
120 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 373,23
IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 40A
Наличие:
68 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 430,38
IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 200 А Макс. рассеиваемая мощность: 333 Вт Переключаемая энергия: 2.36 мДж
Наличие:
125 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 365,89
IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 333W
Наличие:
146 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 350,76
IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 428 Вт Переключаемая энергия: 4.5 мДж
Наличие:
274 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 488,74
Акция IRG4BC20FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 60 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 16 А Импульсный ток коллектора макс.: 64 А Макс. рассеиваемая мощность: 60 Вт Переключаемая энергия: 250 мкДж
Наличие:
233 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 85,58
IRG4BC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 31 А Импульсный ток коллектора макс.: 124 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 630 мкДж
Наличие:
208 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 303,69
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России, в Казахстан и Беларусь

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге или в Москве.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Казахстан и Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"