Новое поступление транзисторов производства Renesas

Группа компаний Промэлектроника
18.05.2017

Японский производитель полупроводниковых компонентов, Renesas Technology, была основана в 2003 году как совместное предприятие Hitachi Ltd и Mitsubishi Electric. Основную операционную деятельность компания начала в 2010 году, после слияния с NEC Electronics, образовав ныне известную всем Renesas Electronics. Штаб-квартира компании расположена в г. Токио (Япония).

 

 

Renesas Electronics - ведущий мировой поставщик микроконтроллеров и передовых полупроводниковых решений, однокристальных систем и широкого спектра аналоговых устройств и силовых компонентов.

Renesas выпускает на глобальный рынок следующие электронные приборы:

  • интегральные микросхемы большой степени интеграции (микроконтроллеры, микропроцессоры, микросхемы стандартной логики)
  • интегральные микросхемы со смешанными сигналами (аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, быстродействующие цифровые сигнальные процессоры)
  • дискретные компоненты (диоды, транзисторы, тиристоры)
  • микросхемы памяти (Flash, SRAM)
  • интегральные микросхемы-драйверы дисплеев
  • сложные полупроводниковые приборы (оптопары, оптотвердотельные реле)

 

Высокое качество готовой продукции гарантируется производством на фабриках (в Сингапуре, Малайзии, Китае, Японии), сертифицированных по стандарту ISO9001.

Основные сферы применения:

  • автомобильная промышленность
  • контрольно-измерительные приборы
  • беспроводные пульты
  • медицинская, компьютерная, офисная и бытовая техника
  • промышленное и телекоммуникационное оборудование
  • системы управления двигателями
  • источники питания
  • системы вентиляции и кондиционирования
  • системы освещения

 

 

Последнее поступление продукции Renesas Electronics на склад "Промэлектроники":

  • Наименование
    К продаже
    Цена от
Наличие:
161 шт.
Под заказ:
60 шт.
Цена от:
214,09
Наличие:
2 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
669,53
RJP6065DPP форм.выводы, укор.
Наличие:
6 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
83,99
Наличие:
23 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
80,86
RJP3065DPP форм.выводы
Наличие:
14 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
88,80
Наличие:
0 шт.
Под заказ:
300 шт.
Цена от:
339,24
Наличие:
3 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
89,11
2SJ162 + 2SK1058 (пара) комплект без подбора HFE
Наличие:
28 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
701,45
  • Производитель
    Корпус
    Описание
Renesas
TO3P
Полевой транзистор, P-канальный, 160 В, 7 А, 100 Вт
Renesas
TO3P
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 8 А, 100 Вт (комплементарная пара 2SK2221)
Renesas
TO-220F
Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
Renesas
TO-220F
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Renesas
TO-220F
Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт
Renesas
TO-247
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Renesas
TO-220F
Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А
Renesas
TO3P
Полевой транзистор, N+P-канальный (пара), 160 В, 7 А, 100 Вт