RJH60F5DPQ, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт

Код товара: 315758

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
RJH60F5DPQ
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, 600 V, 80 A, 260 W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
260W
Показать аналоги

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V

Макс. ток коллектора

80A

Макс. рассеиваемая мощность

260W

Вес брутто

8.4 г.

Описание RJH60F5DPQ

Технология/семействоtrench
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт260.4
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс53
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс105
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Корпусto-247a
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация

Аналоги и возможные замены

FGH40N60SMD Полный аналог Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка RJH60F5DPQ , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.