RJH60F5DPQ, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 260 вт
IGBT, 600 V, 80 A, 260 W
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Артикул:
RJH60F5DPQ
Документы:
Описание RJH60F5DPQ
Технология/семейство | trench |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 260.4 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 53 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 105 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-247a |
Вес, г | 7.5 |
Полные аналоги
-
FGH40N60SMD IGBT+D 600V, 40A, 290W, Tf<16ns, Usat<1.9VONSTO-247
Сообщите мне о поступлении товара