Главная
Новости
Второе рождение «цифровых» транзисторов

Второе рождение «цифровых» транзисторов

11.12.2017

Рис.1. Внутреннее устройство «цифрового» транзистора. Слева – N-P-N, справа – P-N-P

История развития электроники знает немало примеров того, как тот или иной элемент, разработанный под конкретные нужды, со временем теряет свою актуальность и отходит на второстепенные роли, уступая своё место новым компонентам.

Удивительно, но разработка компании «Rohm» продолжает развиваться и в настоящее время. Как известно, компания «Rohm» первой выпустила на рынок транзисторы со встроенными тонкопленочными резисторами. Такие элементы были предназначены для облегчения проектирования выходных узлов на микросхемах логики с уровнями ТТЛ и КМОП. Управление такими транзисторами осуществлялось непосредственно с выходов ИМС, поэтому за ними закрепилось название «цифровые». ИМС логики уступили свою первую роль микроконтроллерам, а выходные каскады на «цифровых транзисторах» сохранились, и получили более широкое распространение.

Транзисторы со встроенными резисторами выпускают многие компании. Например, у компании NXP это транзисторы RET - Resistor-equipped transistors серии PDT, у компании Infineon – транзисторы серии BCR (на начало декабря 2017г – не рекомендованы для новых разработок), у компании ROHM – транзисторы серии ВЕ, у ONSemiconductor – транзисторы с резистором смещения (Bias Resistor Transistors, BRT).
В настоящее время транзисторы со встроенными резисторами используются для управления нагрузкой, управления тиристорами (через оптопару), для согласования уровней ТТЛ и RS-232.
Компания OnSemiconductor выпускает транзисторы разной проводимости, с разным набором и номиналом резисторов и в различных корпусах.
Как правило, резистор R1 служит для ограничения тока на входе транзистора, а R2 предназначен для надежного запирания транзистора.

Новые транзисторы со встроенными резисторами обладают следующими достоинствами:
- значительно экономят место на печатной плате
- облегчают проектирование выходных каскадов управления
- снижают себестоимость конечного устройства за счет меньшего количества операций при производстве.

Система обозначений «цифровых» транзисторов фирмы “ONSemiconductor”

Параметры транзисторов со встроенными резисторами

Наименование	Корпус	Структура	R1±30%, Ом	R2±30%, Ом	R1/R2	h21
MMUN2111LT1G	SOT-23	P-N-P	10к	10к	1/1	35…60
MMUN2113LT1G	SOT-23	P-N-P	47к	47к	1/1	80…140
MMUN2133LT1G	SOT-23	P-N-P	4,7к	47к	1/10	80…140
MMUN2211LT1G	SOT-23	N-P-N	10к	10к	1/1	35…60
MMUN2212LT1G	SOT-23	N-P-N	22к	22к	1/1	60…100
MMUN2213LT1G	SOT-23	N-P-N	47к	47к	1/1	80…140
MMUN2214LT1G	SOT-23	N-P-N	10к	47к	0,21	80…140
MMUN2216LT1G	SOT-23	N-P-N	4,7к	-	-	160…350
MMUN2232LT1G	SOT-23	N-P-N	4,7к	4,7к	1/1	15…30
MUN2111T1G	SOT-23	P-N-P	10к	10к	1/1	35…60
MUN2211T1G	SOT-23	N-P-N	10к	10к	1/1	35…60
MUN2213T1G	SOT-23	N-P-N	47к	47к	1/1	80…140
MUN5133T1G	SC-70/SOT-323	P-N-P	4,7к	47к	1/10	80…140
MUN5135T1G	SC-70/SOT-323	P-N-P	2,2к	47к	0,047	80…140
MUN5211T1G	SC-70/SOT-323	N-P-N	10к	10к	1/1	35…60
MUN5213T1G	SC-70/SOT-323	N-P-N	47к	47к	1/1	80…140
MUN5233T1G	SC-70/SOT-323	N-P-N	4,7к	47к	1/10	80…200

Применение «цифровых» транзисторов

Подведем итог. Несмотря на простую замену трех элементов на один «цифровой» транзистор, можно получить достаточно большой выигрыш в стоимости конечного устройства, сократить его размеры и упростить микроконтроллерные узлы управления. Транзистор со встроенными резисторами достаточно легко можно протестировать, имея под рукой не цифровой, а аналоговый (стрелочный) омметр. И наконец, «ложка дёгтя». Маркировка «цифровых» транзисторов у разных производителей зачастую значительно отличается, что затрудняет выбор элемента или поиск аналога.