Второе рождение «цифровых» транзисторов

Группа компаний Промэлектроника
11.12.2017

Рис.1. Внутреннее устройство «цифрового» транзистора. Слева – N-P-N, справа – P-N-P

История развития электроники знает немало примеров того, как тот или иной элемент, разработанный под конкретные нужды, со временем теряет свою актуальность и отходит на второстепенные роли, уступая своё место новым компонентам.  

Удивительно, но разработка компании «Rohm» продолжает развиваться и в настоящее время. Как известно, компания «Rohm» первой выпустила на рынок транзисторы со встроенными тонкопленочными резисторами. Такие элементы были предназначены для облегчения проектирования выходных узлов на микросхемах логики с уровнями ТТЛ и КМОП. Управление такими транзисторами осуществлялось непосредственно с выходов ИМС, поэтому за ними закрепилось название «цифровые». ИМС логики уступили свою первую роль микроконтроллерам, а выходные каскады на «цифровых транзисторах» сохранились, и получили более широкое распространение.

Транзисторы со встроенными резисторами выпускают многие компании. Например, у компании NXP это транзисторы RET - Resistor-equipped transistors серии PDT, у компании Infineon – транзисторы серии BCR (на начало декабря 2017г – не рекомендованы для новых разработок), у компании ROHM – транзисторы серии ВЕ, у ONSemiconductor – транзисторы с резистором смещения (Bias Resistor Transistors, BRT).
В настоящее время транзисторы со встроенными резисторами используются для управления нагрузкой, управления тиристорами (через оптопару), для согласования уровней ТТЛ и RS-232. 
Компания OnSemiconductor выпускает транзисторы разной проводимости, с разным набором и номиналом резисторов и в различных корпусах. 
Как правило, резистор R1 служит для ограничения тока на входе транзистора, а R2 предназначен для надежного запирания транзистора.

Новые транзисторы со встроенными резисторами обладают следующими достоинствами:
- значительно экономят место на печатной плате
- облегчают проектирование выходных каскадов управления
- снижают себестоимость конечного устройства за счет меньшего количества операций при производстве.

Система обозначений «цифровых» транзисторов фирмы “ONSemiconductor”

Параметры транзисторов со встроенными резисторами

Наименование

Корпус

Структура

R1±30%, Ом

R2±30%, Ом

R1/R2

h21

MMUN2111LT1G 

SOT-23

P-N-P

10к

10к

1/1

35…60

MMUN2113LT1G 

SOT-23

P-N-P

47к

47к

1/1

80…140

MMUN2133LT1G 

SOT-23

P-N-P

4,7к

47к

1/10

80…140

MMUN2211LT1G 

SOT-23

N-P-N

10к

10к

1/1

35…60

MMUN2212LT1G 

SOT-23

N-P-N

22к

22к

 1/1

60…100

MMUN2213LT1G 

SOT-23

N-P-N

47к

47к

 1/1

80…140

MMUN2214LT1G 

SOT-23

N-P-N

10к

47к

0,21

80…140

MMUN2216LT1G 

SOT-23

N-P-N

4,7к

 -

 -

160…350

MMUN2232LT1G 

SOT-23

N-P-N

4,7к

4,7к

 1/1

15…30

MUN2111T1G 

SOT-23

P-N-P

10к

10к

 1/1

35…60

MUN2211T1G 

SOT-23

N-P-N

10к

10к

 1/1

35…60

MUN2213T1G 

SOT-23

N-P-N

47к

47к

1/1

80…140

MUN5133T1G 

SC-70/SOT-323

P-N-P

4,7к

47к

 1/10

80…140

MUN5135T1G 

SC-70/SOT-323

P-N-P

2,2к

47к

0,047

80…140

MUN5211T1G 

SC-70/SOT-323

N-P-N

10к

10к

 1/1

35…60

MUN5213T1G 

SC-70/SOT-323

N-P-N

47к

47к

 1/1

80…140

MUN5233T1G 

SC-70/SOT-323

N-P-N

4,7к

47к

 1/10

80…200

 

Применение «цифровых» транзисторов

Подведем итог. Несмотря на простую замену трех элементов на один «цифровой» транзистор, можно получить достаточно большой выигрыш в стоимости конечного устройства, сократить его размеры и упростить микроконтроллерные узлы управления.  Транзистор со встроенными резисторами достаточно легко можно протестировать, имея под рукой не цифровой, а аналоговый (стрелочный) омметр. И наконец, «ложка дёгтя». Маркировка «цифровых» транзисторов у разных производителей зачастую значительно отличается, что затрудняет выбор элемента или поиск аналога.

  • Наименование
    К продаже
    Цена от
Наличие:
3 418 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
2,42
Наличие:
16 705 шт.
Под заказ:
340 775 шт.
Цена от:
0,78
Наличие:
16 650 шт.
Под заказ:
877 713 шт.
Цена от:
0,87
Наличие:
15 288 шт.
Под заказ:
1 464 000 шт.
Цена от:
0,93
Наличие:
3 780 шт.
Под заказ:
759 000 шт.
Цена от:
1,15
Наличие:
15 654 шт.
Под заказ:
8 177 шт.
Цена от:
1,00
Наличие:
8 611 шт.
Под заказ:
108 000 шт.
Цена от:
0,60
Наличие:
13 470 шт.
Под заказ:
51 000 шт.
Цена от:
0,60
Наличие:
51 100 шт.
Под заказ:
1 161 000 шт.
Цена от:
0,88
Наличие:
781 шт.
Под заказ:
553 313 шт.
Цена от:
0,78
Наличие:
4 819 шт.
Под заказ:
600 499 шт.
Цена от:
1,05
Наличие:
639 шт.
Под заказ:
31 922 шт.
Цена от:
0,84
Наличие:
9 780 шт.
Под заказ:
27 867 шт.
Цена от:
0,70
Наличие:
10 800 шт.
Под заказ:
34 553 шт.
Цена от:
0,98
Наличие:
13 358 шт.
Под заказ:
574 826 шт.
Цена от:
1,05
Наличие:
14 511 шт.
Под заказ:
2 170 635 шт.
Цена от:
0,82
Наличие:
13 338 шт.
Под заказ:
36 689 шт.
Цена от:
1,28
Наличие:
5 867 шт.
Под заказ:
147 000 шт.
Цена от:
0,63
  • Производитель
    Корпус
    Описание
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм
ONS
SOT-323
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+47 кОм
ONS
SOT-323
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
ONS
SOT-323
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
ONS
SOT-323
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
ONS
SOT-323
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
ONS
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм