Второе рождение «цифровых» транзисторов
История развития электроники знает немало примеров того, как тот или иной элемент, разработанный под конкретные нужды, со временем теряет свою актуальность и отходит на второстепенные роли, уступая своё место новым компонентам.
Удивительно, но разработка компании «Rohm» продолжает развиваться и в настоящее время. Как известно, компания «Rohm» первой выпустила на рынок транзисторы со встроенными тонкопленочными резисторами. Такие элементы были предназначены для облегчения проектирования выходных узлов на микросхемах логики с уровнями ТТЛ и КМОП. Управление такими транзисторами осуществлялось непосредственно с выходов ИМС, поэтому за ними закрепилось название «цифровые». ИМС логики уступили свою первую роль микроконтроллерам, а выходные каскады на «цифровых транзисторах» сохранились, и получили более широкое распространение.
Транзисторы со встроенными резисторами выпускают многие компании. Например, у компании NXP это транзисторы RET - Resistor-equipped transistors серии PDT, у компании Infineon – транзисторы серии BCR (на начало декабря 2017г – не рекомендованы для новых разработок), у компании ROHM – транзисторы серии ВЕ, у ONSemiconductor – транзисторы с резистором смещения (Bias Resistor Transistors, BRT).
В настоящее время транзисторы со встроенными резисторами используются для управления нагрузкой, управления тиристорами (через оптопару), для согласования уровней ТТЛ и RS-232.
Компания OnSemiconductor выпускает транзисторы разной проводимости, с разным набором и номиналом резисторов и в различных корпусах.
Как правило, резистор R1 служит для ограничения тока на входе транзистора, а R2 предназначен для надежного запирания транзистора.
Новые транзисторы со встроенными резисторами обладают следующими достоинствами:
- значительно экономят место на печатной плате
- облегчают проектирование выходных каскадов управления
- снижают себестоимость конечного устройства за счет меньшего количества операций при производстве.
Система обозначений «цифровых» транзисторов фирмы “ONSemiconductor”
Параметры транзисторов со встроенными резисторами
Наименование |
Корпус |
Структура |
R1±30%, Ом |
R2±30%, Ом |
R1/R2 |
h21 |
|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-23 |
P-N-P |
10к |
10к |
1/1 |
35…60 |
|
SOT-23 |
P-N-P |
47к |
47к |
1/1 |
80…140 |
|
SOT-23 |
P-N-P |
4,7к |
47к |
1/10 |
80…140 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
10к |
10к |
1/1 |
35…60 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
22к |
22к |
1/1 |
60…100 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
47к |
47к |
1/1 |
80…140 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
10к |
47к |
0,21 |
80…140 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
4,7к |
- |
- |
160…350 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
4,7к |
4,7к |
1/1 |
15…30 |
|
SOT-23 |
P-N-P |
10к |
10к |
1/1 |
35…60 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
10к |
10к |
1/1 |
35…60 |
|
SOT-23 |
N-P-N |
47к |
47к |
1/1 |
80…140 |
|
SC-70/SOT-323 |
P-N-P |
4,7к |
47к |
1/10 |
80…140 |
|
SC-70/SOT-323 |
P-N-P |
2,2к |
47к |
0,047 |
80…140 |
|
SC-70/SOT-323 |
N-P-N |
10к |
10к |
1/1 |
35…60 |
|
SC-70/SOT-323 |
N-P-N |
47к |
47к |
1/1 |
80…140 |
|
SC-70/SOT-323 |
N-P-N |
4,7к |
47к |
1/10 |
80…200 |
Подведем итог. Несмотря на простую замену трех элементов на один «цифровой» транзистор, можно получить достаточно большой выигрыш в стоимости конечного устройства, сократить его размеры и упростить микроконтроллерные узлы управления. Транзистор со встроенными резисторами достаточно легко можно протестировать, имея под рукой не цифровой, а аналоговый (стрелочный) омметр. И наконец, «ложка дёгтя». Маркировка «цифровых» транзисторов у разных производителей зачастую значительно отличается, что затрудняет выбор элемента или поиск аналога.
MMUN2113LT1G
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм
MUN2213T1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 47 кОм+47 кОм
MMUN2214LT1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм
MMUN2111LT1G
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
MMUN2133LT1G
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
MUN2211T1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
MUN2111T1G
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
MMUN2211LT1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+10 кОм
MMUN2213LT1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 47 кОм+47 кОм
MUN5233T1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
MMUN2232LT1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
MUN5213T1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 47 кОм+47 кОм
MUN5135T1G
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 2.2 кОм+47 кОм
MUN5133T1G
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
MMUN2132LT1G
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
MMUN2216LT1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+
MMUN2212LT1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 22 кОм+22 кОм
MUN5211T1G
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+10 кОм