Новое поступление IGBT-транзисторов и модулей Infineon

Группа компаний Промэлектроника
02.10.2020
Новое поступление IGBT-транзисторов и модулей Infineon Новое поступление IGBT-транзисторов и модулей Infineon

Компания Infineon Technologies, появившаяся в 1999 году в результате выделения одного из подразделений Siemens, в наши дни является одним из лидирующих многопрофильных производителей электроники. Её штаб-квартира располагается в немецком Нойбиберге, а филиалы и фабрики, в которых работает более 41000 сотрудников, можно встретить по всему миру.

Одной из главных категорий продукции Infineon является силовая электроника, включающая в себя мощные IGBT-транзисторы и IGBT-модули. IGBT расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором» – два транзистора  с уникальной структурой управляющего перехода. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. На рисунке 1 показана схема типичного IGBT-модуля с двумя транзисторами.

Схема IGBT модуля

Рисунок 1. Схема электрическая принципиальная IGBT-модуля на два транзистора

Конструкция IGBT позволяет сочетать преимущества обоих типов транзисторов:

  • управление по напряжению, а не по току;
  • низкая управляющая мощность;
  • высокое входное сопротивление;
  • зависимость сопротивления открытого канала от величины силы тока, а не квадрата силы тока.

Типичные применения IGBT-транзисторов и модулей – это цепи с частотой до 50 кГц, токами в десятки ампер и напряжением более 500 В. В качестве примеров можно привести:

  • инверторы;
  • импульсные источники питания;
  • системы управления тяговыми двигателями;
  • и другие нагрузки до 6-6,5 кВ.

На склад «Промэлектроники» поступили IGBT-транзисторы IKW30N60H3FKSA1 и IGBT-модули: FF600R12KE4BOSA1 (рисунок 2) и BSM50GP120BOSA1. Их основные характеристики представлены в таблицах ниже. Также на страницах этих моделей доступны даташиты от Infineon. В числе преимуществ IGBT Infineon Technologies можно выделить инновационные технологии TRENCHSTOP, позволяющие повысить допустимые рабочие температуры до 175°C, что даёт большой запас по перегрузке.

Типичный вид IGBT-модуля серии FF600

Рисунок 2. Корпус IGBT-модуля FF600R12KE4BOSA1 

Основные параметры IGBT-транзистора IKW30N60H3FKSA1 (максимальные значения)
ПараметрЗначение
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Импульсный ток коллектора 120 А
Максимальный ток коллектора при 25°C 60 А
Прямой ток диода 30 А при 25°C
15 А при 100°C
Максимальная рассеиваемая мощность 187 Вт при 25°C
94 Вт при 100°C
Напряжение затвор-эмиттер ±20 В
Задержка включения при 25°C
при 25°C
Задержка выключения 20 нс при 25°C
239 нс при 175°C
Рабочий диапазон температур -40..+175°C
Корпус TO-247

Основные параметры FF600R12KE4BOSA1 и BSM50GP120BOSA1 (максимальные значения)
ПараметрыFF600R12KE4BOSA1BSM50GP120BOSA1
Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В при 25 1200 В
Повторяющееся импульсное обратное напряжение 1200 В при 25°C 1600 В при 25°C
Прямой постоянный ток 600 А 50 А
Повторяющийся импульсный прямой ток 1200 А при tp = 1 мс 100 А
Рассеиваемая мощность н/д производителя 360 Вт при 25
Рабочий диапазон температур -40..125°C -40..125°C

Все IGBT-транзисторы и модули, поставляемые Промэлектроникой.
Новые поступления приведены в таблице:
  • Наименование
    К продаже
    Цена от
Наличие:
1 шт.
Под заказ:
10 шт.
Цена от:
14 131,96
Наличие:
87 шт.
Под заказ:
5 370 шт.
Цена от:
171,83
Наличие:
3 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
7 774,01
  • Производитель
    Корпус
    Описание
INF
Трехфазный биполярный силовой модуль IGBT
INF
TO-247
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
INF
62 mm
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А лоток
Все товары производителя
Смотреть все товары