Новое поступление IGBT-транзисторов и модулей Infineon

Компания Infineon Technologies, появившаяся в 1999 году в результате выделения одного из подразделений Siemens, в наши дни является одним из лидирующих многопрофильных производителей электроники. Её штаб-квартира располагается в немецком Нойбиберге, а филиалы и фабрики, в которых работает более 41000 сотрудников, можно встретить по всему миру.

Одной из главных категорий продукции Infineon является силовая электроника, включающая в себя мощные IGBT-транзисторы и IGBT-модули. IGBT расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором» – два транзистора  с уникальной структурой управляющего перехода. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. На рисунке 1 показана схема типичного IGBT-модуля с двумя транзисторами.

Рисунок 1. Схема электрическая принципиальная IGBT-модуля на два транзистора

Конструкция IGBT позволяет сочетать преимущества обоих типов транзисторов:

• управление по напряжению, а не по току;
• низкая управляющая мощность;
• высокое входное сопротивление;
• зависимость сопротивления открытого канала от величины силы тока, а не квадрата силы тока.

Типичные применения IGBT-транзисторов и модулей – это цепи с частотой до 50 кГц, токами в десятки ампер и напряжением более 500 В. В качестве примеров можно привести:

• инверторы;
• импульсные источники питания;
• системы управления тяговыми двигателями;
• и другие нагрузки до 6-6,5 кВ.

На склад «Промэлектроники» поступили IGBT-транзисторы IKW30N60H3FKSA1 и IGBT-модули: FF600R12KE4BOSA1 (рисунок 2) и BSM50GP120BOSA1. Их основные характеристики представлены в таблицах ниже. Также на страницах этих моделей доступны даташиты от Infineon. В числе преимуществ IGBT Infineon Technologies можно выделить инновационные технологии TRENCHSTOP, позволяющие повысить допустимые рабочие температуры до 175°C, что даёт большой запас по перегрузке.

Рисунок 2. Корпус IGBT-модуля FF600R12KE4BOSA1