В ассортименте микросхемы FRAM памяти Infineon Technologies
В последние годы во многих отраслях электроники наблюдается устойчивый рост спроса на внешнюю память. Ключевым драйвером этого тренда выступает высокая стоимость масштабирования встроенной памяти микропроцессорных устройств, делающая наращивание объемов на кристалле экономически нецелесообразным во многих случаях.
Infineon - это широко известный технологический лидер, производящий широкую номенклатуру микросхем разного применения, от силовой электроники до микроконтроллеров, в том числе памяти FRAM.
В нашем ассортименте представлена широкая номенклатура FRAM памяти от Infineon. Помимо собственно объема памяти, предоставляемого устройством значение имеют следующие параметры.
1. Интерфейс связи. В отличие от традиционной быстрой энергонезависимой памяти, где запись часто возможна только страницами или секторами, любая микросхема FRAM — независимо от интерфейса (параллельный, SPI или I²C) — поддерживает произвольный доступ. Это означает, что вы можете записать или считать как один-единственный байт, так и массив данных любого размера, не заботясь о выравнивании границ страниц и без временных задержек на стирание. В нашем каталоге представлены модели с привычным параллельным интерфейсом, высокоскоростным SPI, а также экономичными двухпроводными интерфейсами (2-wire, IBIC), которые являются подмножеством стандарта I²C.
 |
FM24CL64B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кбит 1МГц шина I2C 8SOIC
|
 |
FM1808B-SG микросхема памяти FRAM 256KBit 70ns
|
 |
FM25CL64B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кбит 20МГц шина SPI 8SOIC
|
2. Быстродействие. Этот параметр определяет максимальную тактовую частоту интерфейса обмена данными между микропроцессорным устройством и памятью, напрямую влияя на общую производительность системы. В нашем ассортименте представлены как стандартные решения, работающие на частотах в единицы и десятки мегагерц, так и специализированные высокоскоростные микросхемы, время доступа которых исчисляется десятками наносекунд.
|
FM24CL04B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 1МГц 8SOIC
|
 |
FM28V100-TGTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 60нсек 32TSOP
|
3. Число циклов чтения/записи. В этом отношении особо выделяется модель с ресурсом 10 миллиардов циклов перезаписи. Такой запас прочности востребован в устройствах, где память обновляется непрерывно: счетчиках импульсов, регистраторах событий, системах сбора данных с датчиков в реальном времени, а также буферах для защиты критически важной информации при внезапном отключении питания.
 |
FM1808B-SGTR FRAM parallel 32Kx8 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С |
Подытожим: FRAM является незаменимым решением для быстрых систем, требующих мгновенной записи данных в реальном времени с практически бесконечным ресурсом перезаписи. Он идеально подходит для критически важного сбора данных в автомобильной электронике (фиксация событий подушек безопасности, BMS), промышленной автоматизации (ПЛК, робототехника), медицинских имплантируемых и носимых устройств.
Подробнее ознакомиться с каталогом FRAM от Infineon можно по ссылке или в перечне ниже.
FM28V020-SGTR
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256кбит 70нс 28SOIC
FM22L16-55-TG
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4Мбит 55нс 44TSOP
FM1808B-SGTR
FRAM parallel 32Kx8 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5…5.5В, -40°…+85°С
FM25V20A-GTR
Сегнетоэлектрическое ОЗУ память с SPI интерфейсом, 2 Мбит, электропитание 2...3.6 В, -40...85 °C
