CGHV40100F, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
43 913,39 руб.
Нет в наличии
Описание CGHV40100F
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | 440193 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 11.259 g |
| ECCN | EAR99 |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
| Продукт | GaN HEMT |
| Высота | 4.19 mm |
| Длина | 20.45 mm |
| Ширина | 5.97 mm |
| Технология | GaN |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.7 A |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | HEMT |
| Рабочая частота | 500 MHz to 2.5 GHz |
| Средства разработки | CGHV40100-TB |
| Усиление | 11 dB |
| Выходная мощность | 100 W |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 2.7 V |
| Напряжение отсечки затвор-исток | 10 V to + 2 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка CGHV40100F , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара