JANTX2N3506, биполярные транзисторы - bjt power bjt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Артикул:
JANTX2N3506
Описание JANTX2N3506
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Упаковка | Bulk |
| Вес изделия | 9.210 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара