IXFK170N20T, МОП-транзистор 170A 200V
Код товара: 10074300
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 627,84 руб.
Нет в наличии
Описание IXFK170N20T
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | IXFK170N20 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 10 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Тип | GigaMOS Power MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Длина | 19.96 mm |
| Ширина | 5.13 mm |
| Высота | 26.16 mm |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Pd - рассеивание мощности | 1.15 kW |
| Время нарастания | 28 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 265 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 33 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 85 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFK170N20T , МОП-транзистор 170A 200V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара