DF160R12W2H3F_B11, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Код товара: 10074306

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
DF160R12W2H3F_B11
Производитель:

Описание DF160R12W2H3F_B11

Вид монтажаPress Fit
Упаковка / блокModule
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
СерияHigh Speed IGBT H3
УпаковкаTray
Вес изделия36 g
ECCNEAR99
ПродуктIGBT Silicon Carbide Modules
ТехнологияSiC
КонфигурацияQuad
Pd - рассеивание мощности20 mW
Коммерческое обозначениеEasyPACK CoolSiC
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C20 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V

Способы доставки в Калининград

Доставка DF160R12W2H3F_B11 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 813
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 715
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.