SI7431DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI7431DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200V
Ток стока макс.:
2.2A (Ta)
Сопротивление открытого канала:
174 mOhm @ 3.8A, 10V
Мощность макс.:
1.9W
Тип транзистора:
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Цена от:
154,68 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SI7431DP-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SI7 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 6.15 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 5.15 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 147 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 135 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 5.4 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 17 S |
| Время спада | 66 ns |
| Время нарастания | 49 ns |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI7431DP-T1-GE3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара