Одиночные MOSFET транзисторы

1499
Особенности: Logic Level Gate
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1499)
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
633пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
110 435 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
503 771 шт
Цена от:
от 4,70
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
86 572 шт

Внешние склады:
8 400 шт
Аналоги:
41 869 шт
Цена от:
от 7,39
IRLML2502 IRLML2502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A SOT-23
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 4.2А, 4.5В
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 5В
Входная емкость:
740пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
79 447 шт

Внешние склады:
514 790 шт
Аналоги:
121 924 шт
Цена от:
от 1,30
Акция
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
71 140 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,42
BSS138-7-F BSS138-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
65 951 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
625 548 шт
Цена от:
от 1,32
2N7002,215 2N7002,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
61 403 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
728 760 шт
Цена от:
от 2,10
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
85пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
58 387 шт

Внешние склады:
5 100 шт
Аналоги:
359 517 шт
Цена от:
от 5,75
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
780мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
97пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
48 284 шт

Внешние склады:
18 200 шт
Аналоги:
126 815 шт
Цена от:
от 6,01
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 1.3Вт, 0,22 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
47 589 шт

Внешние склады:
8 350 шт
Аналоги:
32 260 шт
Цена от:
от 7,81
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
92 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
44 858 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Аналоги:
22 163 шт
Цена от:
от 7,28
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт, 4.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
37 292 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,23
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2А 0.8Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
36 959 шт

Внешние склады:
60 140 шт
Аналоги:
619 062 шт
Цена от:
от 6,25
IRLML2402TRPBF IRLML2402TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
35 848 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Аналоги:
379 987 шт
Цена от:
от 11,38
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
388пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
35 237 шт

Внешние склады:
4 300 шт
Аналоги:
170 206 шт
Цена от:
от 6,83
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
98 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
34 463 шт

Внешние склады:
29 880 шт
Аналоги:
117 651 шт
Цена от:
от 6,95
2N7002K 2N7002K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200мА, 0.2Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
115мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
30 456 шт

Внешние склады:
178 884 шт
Аналоги:
580 823 шт
Цена от:
от 0,51
2N7002-TP 2N7002-TP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Micro Commercial Components
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
115мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
29 086 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Аналоги:
759 077 шт
Цена от:
от 0,67
BSS138LT1G BSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
27 776 шт

Внешние склады:
29 900 шт
Аналоги:
633 823 шт
Цена от:
от 2,67
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
27 739 шт

Внешние склады:
12 970 шт
Аналоги:
183 156 шт
Цена от:
от 7,02
2N7002WT1G 2N7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
27 402 шт

Внешние склады:
19 129 шт
Аналоги:
183 379 шт
Цена от:
от 2,04
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.60435 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"