STW45N60DM6, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STW45N60DM6
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 30A, 150°C, 210W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
402,66 руб.
Внешние склады
-
18+ 26+ 52+ 259+491,73 ₽ 424,04 ₽ 413,35 ₽ 402,66 ₽Срок:25 днейНаличие:270Минимум:Мин: 18Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STW45N60DM6
| Серия | STW45N60DM6 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 4.430 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Технология | Si |
| Время спада | 7.3 ns |
| Время нарастания | 5.3 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 99 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.25 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW45N60DM6
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара