STWA30N65DM6AG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STWA30N65DM6AG
Производитель:
Описание Eng:
MOS Transistor Automotive-grade N-channel 650V, 90 mOhm 28A MDmesh DM6 Power MOS Transistor
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
372,39 руб.
Нет в наличии
Описание STWA30N65DM6AG
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 284 W |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Канальный режим | Enhancement |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.75 V |
| Тип транзистора | 1 N - Channel |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STWA30N65DM6AG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара