LND250K1-G, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
96,19 руб.
Внешние склады
-
76+ 110+ 219+ 1093+117,46 ₽ 101,29 ₽ 98,74 ₽ 96,19 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 76Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание LND250K1-G
| Продукт | MOSFET Small Signal |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 2.9 mm |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Высота | 0.95 mm |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 kOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 450 ns |
| Время нарастания | 450 ns |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 90 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка LND250K1-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара