IXGH10N170A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXGH10N170A
Производитель:
Описание Eng:
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 20 A 1700 V 7 V Rds
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
909,58 руб.
Нет в наличии
Описание IXGH10N170A
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXGH10N170 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 6.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Высота | 21.46 mm |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 10 A |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXGH10N170A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 235 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара