IXGN200N60B3
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXGN200N60B3
Производитель:
Описание Eng:
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
Нормоупаковка:
10 шт
Цена от:
6 272,35 руб.
Нет в наличии
Описание IXGN200N60B3
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXGN200N60 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Ширина | 25.42 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 300 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 1.2 kA |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Непрерывный коллекторный ток | 300 A |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXGN200N60B3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 235 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара